电磁加热电路的制作方法

本文章由电磁加热器用户上传提供

工业生产中加热装置大量采用直热式加热，电热转换效率在40% 左右，电热转换效率很低。家用电磁炉采用电磁间热式加热，电热转 换效率高达90%以上。但现有的电磁加热电路采用单个功率管

(IGBT)驱动励磁线圈，如所示，应用时存在抗干扰能力差， 振荡频率同步范围小，失谐易损坏IGBT功率管等缺陷，使电路频繁 出现故障。

实用新型内容

本实用新型针对以上问题，提供了一种由单片机控制LC振荡电 路形成自激振荡，再由二只IGBT功率管在自激振荡环境交替工作， 从而避免频繁出现故障的电磁加热电路。

本实用新型的技术方案是包括抗干扰电路、整流电路、励磁线 圈、谐振电容、单片机，在所述整流电路、励磁线圈之间连接有推挽 式功率电路，在所述谐振电容和单片机之间连接有比较电路，在所述 单片机与推挽式功率电路之间连接有功率驱动电路；所述的推挽式功 率电路包括IGBT —和IGBT 二，所述的功率驱动电路包括推动电路一、

3推动电路二，推动电路一、推动电路二分别对应连接IGBT—和IGBT 二；所述比较电路包括比较器I 、比较器II，比较器I、比较器II的 输出端分别连接单片机并向单片机输出中断信号，单片机根据接收的 中断信号指令控制推动电路一和推动电路二驱动IGBT—和IGBT二交 替动作。

所述的推动电路一由高速光耦、连接在高速光耦与单片机之间的 R13、连接在高速光耦与IGBT —之间的Rl和R2构成；所述的推动电 路二包括相互连接的三极管Tl、 T2、 T3以及R9、 RIO、 Rll、 R3和 R4。

所述推挽式功率电路中，IGBT —的A端与整流电路的正电源端相 连，K端与IGBT 二的A端相连，IGBT二的K端与整流电路的负电 源端相连；励磁线圈一端与IGBT —的K端、IGBT 二的A端相连， 另一端与谐振电容串联，谐振电容的另一端接IGBT 二的K端。

本实用新型中励磁线圈、谐振电容与二只IGBT功率管共同构成 了推挽式的功率输出电路。单片机通过；两个推动电路分别控制二只 IGBT功率管交替导通，使电路产生振荡。振荡后对谐振电容两端正 负峰值电压取样比较，当正负峰值电压达到设定的电压值，电压比较 器产生负跳变使单片机响应中断，控制二只IGBT功率管交替导通形 成自激振荡。自激振荡不存在同步与失谐问题，抗干扰能力得到有效 提高。220伏电压过低时则停止工作，过高时由于电路自身具有振幅 限制功能，输出电压基本不变，能有效保护IGBT 率管。该振荡电 路能在几百赫兹至30K赫兹正常工作。

是本实用新型的线路框图

是本实用新型的线路原理图 是本实用新型背景技术状况图具体实施方式

本实用新型如、 2所示，包括抗干扰电路、整流电路、励磁

线圈、谐振电容、单片机，在所述整流电路、励磁线圈之间连接有推

挽式功率电路，在所述谐振电容和单片机之间连接有比较电路，在所 述单片机与推挽式功率电路之间连接有功率驱动电路；所述的推挽式

功率电路包括IGBT —和IGBT 二，所述的功率驱动电路包括推动电路 一、推动电路二，推动电路一、推动电路二分别对应连接IGBT—和 IGBT 二；所述比较电路包括比较器I、比较器II，比较器I、比较 器II的输出端分别连接单片机并向单片机输出中断信号，单片机根据 接收的中断信号指令控制推动电路一和推动电路二驱动IGBT —和 IGBT 二交替动作。

所述的推动电路一由高速光耦、连接在高速光耦与单片机之间的 R13、连接在高速光耦与IGBT —之间的Rl和R2构成；所述的推动电 路二包括相互连接的三极管Tl、 T2、 T3以及R9、 RIO、 Rll、 R3和 R4。

所述推挽式功率电路中，IGBT —的A端与整流电路的正电源端相 连，K端与IGBT 二的A端相连，IGBT二的K端与整流电路的负电 源端相连；励磁线圈一端与IGBT —的K端、IGBT 二的A端相连，另一端与谐振电容串联，谐振电容的另一端接IGBT二的K端。 本实用新型中各电路的功能作用是(如所示)

1) 抗干扰电路(Cl、 L1)对220V交流电滤波，抑制干扰。

2) 整流电路(D1、 D2、 D3、 D4)、滤波电路(L2、 C2)将220V交流 电转换成直流电源，在电容C2两端获得上正下负、约280V的直流 电源。

3) 推挽输出(Q1、 Q2)是IGBT功率管，Ql的A端与C2的正电源 端相连，K端与Q2的A端相连，Q2的K端与C2的负电源端相连; 电磁线圈L3 —端接在Ql的K端(Q2的A端)，另一端与谐振电容 C3串联，C3的另一端接Q2的K端，构成推挽式输出电路。

4) 高速光耦&